ZVN2106GTA, MOSFETs N-Chnl 60V T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004841901
- Артикул
- ZVN2106GTA
- Бренд
- DIODES INC.
- Type:
- FET
- V(DS)
- 60 V
- Width
- 3.7mm
- Brand:
- Diodes Incorporated
Цена по запросу
(от 560 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 60В 0,7A 2Вт SOT223 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Type: | FET |
| V(DS) | 60 V |
| Width | 3.7mm |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| P(tot) | 2 W |
| Package | SOT-223 |
| Series: | ZVN2106 |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | NO |
| Fall Time: | 15 ns |
| Rise Time: | 8 ns |
| Вес, г | 2 |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-223 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | N-CH |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | SOT-223-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| RDS(on)at 10V | 2000 mOhm |
| REACH - SVHC: | Details |
| Configuration: | Single |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 0.71 A |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 2W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 75pF@18V |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 12 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 710mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 710 mA |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.4V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 0.3 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 2 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 710 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.4V@1mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2Ω@10V, 1A |