Моя заявка (0)

ZVN0545A,Power MOSFET, N Channel, 450 V, 90 mA, 50 ohm, E-Line, Through Hole

ZVN0545A,Power MOSFET, N Channel, 450 V, 90 mA, 50 ohm, E-Line, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8717198744
Артикул
ZVN0545A
Бренд
DIODES INC.
HTS
8541.29.00.95
PPAP
No
Type:
FET
Brand:
Diodes Incorporated
Цена по запросу
(от 348 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

HTS8541.29.00.95
PPAPNo
Type:FET
Brand:Diodes Incorporated
EU RoHSCompliant
Series:ZVN0545
MountingThrough Hole
Product:MOSFET Small Signals
ECCN (US)EAR99
Pin Count3
AutomotiveNo
Fall Time:10 ns
Lead ShapeThrough Hole
Rise Time:7 ns
Вес, г0.155
PCB changed3
Part StatusActive
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
ConfigurationSingle
Manufacturer:Diodes Incorporated
Package Width2.28
Package/Case:TO-92-3
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Package Height3.9
Package Length4.57
Mounting Style:Through Hole
Product CategorySmall Signal
Supplier PackageE-Line
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Process TechnologyDMOS
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Standard Package NameTO-92
Typical Fall Time (ns)10@P Channel|10.6@N Channel
Typical Rise Time (ns)7(Max)
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:700 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:7 ns
Typical Turn-Off Delay Time:16 ns
Id - Continuous Drain Current:90 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Maximum Power Dissipation (mW)700
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:100 mS
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)7(Max)
Maximum Drain Source Voltage (V)450
Typical Turn-Off Delay Time (ns)16(Max)
Rds On - Drain-Source Resistance:50 Ohms
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)0.09
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)70(Max)@25V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:450 V
Maximum Drain Source Resistance (MOhm)50000@10V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:4000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В450
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А545
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)50 Ом

Техническая документация