Моя заявка (0)

ZUMTS17NTA, Bipolar Transistors - BJT SINGLE NPN 3.2GHz 330mW

ZUMTS17NTA, Bipolar Transistors - BJT SINGLE NPN 3.2GHz 330mW

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004841897
Артикул
ZUMTS17NTA
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.01
Серия
ZUMTS17
Transistor Type
NPN
Power Dissipation
310мВт
Цена по запросу
(от 44,09 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT SINGLE NPN 3.2GHz 330mW

Технические параметры

Вес, г0.01
СерияZUMTS17
Transistor TypeNPN
Power Dissipation310мВт
Структураnpn
Вид монтажаSMD/SMT
Collector Current (Ic)50mA
Power Dissipation (Pd)330mW
DC Current Gain hFE Min56hFE
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Квалификация-
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Transition Frequency (fT)3.2GHz
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-323-3
Continuous Collector Current50мА
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)56@5mA, 10V
Collector Emitter Voltage Max11В
DC Ток Коллектора50мА
Collector Cut-Off Current (Icbo)500nA
DC Усиление Тока hFE56hFE
Линейка Продукции-
Частота Перехода ft3.2ГГц
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Корпус РЧ ТранзистораSOT-323
Рассеиваемая Мощность310мВт
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)11V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности330 mW
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-323
Напряжение эмиттер-база (VEBO)3 V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)500mV@10mA, 5mA
Напряжение Коллектор-Эмиттер11В
Напряжение коллектор-база (VCBO)20 V
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.11 V
Максимальный постоянный ток коллектора50 mA
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер500 mV
Стандарты Автомобильной Промышленности-
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)56
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)3.2 GHz

Техническая документация