Моя заявка (0)

ZUMT718TA, 10nA 20V 500mW 75@1.5A,5V 1A 210MHz 180mV@1A,100mA PNP -55°C~+150°C@(Tj) SOT-323-3 BIpolar TransIstors - BJT

ZUMT718TA, 10nA 20V 500mW 75@1.5A,5V 1A 210MHz 180mV@1A,100mA PNP -55°C~+150°C@(Tj) SOT-323-3 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017625173
Артикул
ZUMT718TA
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Вес, г
0.04
Technology:
Si
Subcategory:
Transistors
Цена по запросу
(от 58 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

20 В 500 МВт, 200 при 500 мА, 2 В 1 А, биполярные транзисторы PNP SOT-323-3 - BJT ROHS

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Вес, г0.04
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусSOT-323-3
Manufacturer:Diodes Incorporated
Package/Case:SOT-323-3
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor TypePNP
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураpnp
Transistor Polarity:PNP
Operating Temperature-55℃~+150℃@(Tj)
Collector Current (Ic)1A
Factory Pack Quantity:3000
Power Dissipation (Pd)500mW
Pd - Power Dissipation:500 mW
Transition Frequency (fT)210MHz
Gain Bandwidth Product fT:210 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:5 V
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)200@500mA, 2V
Collector- Base Voltage VCBO:20 V
Continuous Collector Current:-1 A
Maximum DC Collector Current:1 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Collector Cut-Off Current (Icbo)10nA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:20 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:180 mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)20V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)180mV@1A, 100mA
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)1.5
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц210

Техническая документация