Моя заявка (0)

ZUMT717TA, 10nA 12V 500mW 80@3A,2V 1.25A 220MHz 185mV@1.25A,50mA PNP -55°C~+150°C@(Tj) SOT-323-3 BIpolar TransIstors - BJT

ZUMT717TA, 10nA 12V 500mW 80@3A,2V 1.25A 220MHz 185mV@1.25A,50mA PNP -55°C~+150°C@(Tj) SOT-323-3 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017625172
Артикул
ZUMT717TA
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.04
Длина
2.2 mm
Серия
ZUMT7
Высота
1 mm
Цена по запросу
(от 88 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT PNP Super323

Технические параметры

Вес, г0.04
Длина2.2 mm
СерияZUMT7
Высота1 mm
КорпусSOT-323-3
Ширина1.26 mm
Структураpnp
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-323-3
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности500 mW
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток1.25 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)12 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.12 V
Максимальный постоянный ток коллектора1.25 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер185 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.300 at 10 mA, 2 V
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц220
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)300 at 10 mA, 2 V, 300 at 100 mA, 2 V, 200 at 50
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)220 MHz

Техническая документация