Моя заявка (0)

ZTX857, Транзистор биполярный - BJT, 300 В 1,2 Вт 100 при 500 мА, 10 В 3 А NPN

ZTX857, Транзистор биполярный - BJT, 300 В 1,2 Вт 100 при 500 мА, 10 В 3 А NPN

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8061873632
Артикул
ZTX857
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Packaging:
Bulk
Вес, г
0.3
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 226,52 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Packaging:Bulk
Вес, г0.3
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Manufacturer:Diodes Incorporated
Package/Case:TO-92-3
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Transistor TypeNPN
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Transistor Polarity:NPN
Collector Current (Ic)3A
Factory Pack Quantity:4000
Power Dissipation (Pd)1.2W
Pd - Power Dissipation:1.2 W
Transition Frequency (fT)80MHz
Gain Bandwidth Product fT:80 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:6 V
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)100@500mA, 10V
Collector- Base Voltage VCBO:330 V
Continuous Collector Current:3 A
Maximum DC Collector Current:3 A
Maximum Operating Temperature:+200 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Collector Cut-Off Current (Icbo)50nA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:300 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:170 mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)300V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)250mV@600mA, 3A

Техническая документация