ZTX849STZ, Trans GP BJT NPN 30V 5A 1200mW 3-Pin E-Line Box
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8036564176
- Артикул
- ZTX849STZ
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Вес, г
- 0.05
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 110 ₽)
Минимальный заказ: 2000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Вес, г | 0.05 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Package/Case: | TO-92-3 |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.2 W |
| Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 80 V |
| Continuous Collector Current: | 5 A |
| Maximum DC Collector Current: | 5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +200 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 30 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 180 mV |