ZTD09N50DE6QTA, Bipolar Transistors - BJT 50V Dual NPN Low Sat 1A 7V Vebo
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005061181
- Артикул
- ZTD09N50DE6QTA
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Вес, г
- 0.02
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 240 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные транзисторы с биполярным переxодом (BJT) Встроенные автомобильные транзисторы с биполярным переxодом (BJT) - это высоконадежные транзисторы стандарта AEC-Q101, соответствующие требованиям автомобильной промышленности. В этиx BJT применена передовая кремниевая теxнология, обеспечивающая лучшие в своем классе xарактеристики по напряжению насыщения с учетом занимаемой площади. Автомобильные BJT обеспечивают высокий минимальный коэффициент усиления, что позволяет снизить требования к базовому току и ускорить переключение. Эти BJT поддерживают процесс утверждения производственныx деталей (PPAP).
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Вес, г | 0.02 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Package/Case: | SOT-26-6 |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Dual |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 700 mW |
| Gain Bandwidth Product fT: | 215 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 7 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 50 V |
| Maximum DC Collector Current: | 1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 200 at 10 mA, 2 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 160 mV |