Diodes Inc ZHB6790TA Quad NPN/PNP Transistor, 2 A, 40 V, 8-Pin SM
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014471208
- Артикул
- ZHB6790TA
- Бренд
- DIODES INC.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0075
- Package
- Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
- Pin Count
- 8
Цена по запросу
(от 410 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT H-Bridge-40V
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0075 |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 5 |
| Длина | 6.7 mm |
| Серия | ZHB6790 |
| Power - Max | 1.25W |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Package Type | SM |
| REACH Status | REACH Affected |
| Высота | 1.6 mm |
| Ширина | 3.7 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-223-8 |
| Transistor Type | NPN/PNP |
| Структура | npn |
| Base Product Number | ZHB6790 -> |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Minimum DC Current Gain | 400, 200 |
| Supplier Device Package | SM-8 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Full Bridge |
| Конфигурация | Quad |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Maximum Operating Frequency | 150 MHz |
| Number of Elements per Chip | 4 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SM-8 |
| Maximum DC Collector Current | 2 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 750mV @ 50mA, 2A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2A |
| Maximum Collector Base Voltage | 50 V |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 40 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 1A, 2V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 2000 mW |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.75 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 500 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 500 at 100 mA, 2 V at NPN, 400 at 1 A, 2 V at NPN |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 40 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz, 150 MHz |