ZHB6718TA, Trans GP BJT NPN/PNP 20V 2.5A 2000mW 8-Pin SM T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8069200781
- Артикул
- ZHB6718TA
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 1
- Длина
- 6.7 mm (Max)
- Серия
- ZHB6718
- Высота
- 1.6 mm (Max)
Цена по запросу
(от 140 ₽)
Минимальный заказ: 220 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT H-Bridge-20V
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Длина | 6.7 mm (Max) |
| Серия | ZHB6718 |
| Высота | 1.6 mm (Max) |
| Ширина | 3.7 mm (Max) |
| Transistor Type | NPN+PNP |
| Структура | npn |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Collector Current (Ic) | 2.5A |
| Power Dissipation (Pd) | 1.25W |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Quad |
| Подкатегория | Transistors |
| Transition Frequency (fT) | 140MHz;180MHz |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SM-8 |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 200@2A, 2V |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100uA |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 20V |
| Полярность транзистора | NPN, PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 2000 mW |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 130mV@2.5A, 50mA;190mV@2.5A, 200mA |
| Непрерывный коллекторный ток | 2.5 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2.5 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 130 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 200 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 at 10 mA at 2 V at NPN, 300 at 100 mA at 2 V a |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 140 MHz |