Моя заявка (0)
ZDT751TA, Trans GP BJT PNP 60V 2A 2750mW 8-Pin SM8 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001140340
Артикул
ZDT751TA
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
1
Длина
6.7 mm
Серия
ZDT751
Высота
1.6 mm
Цена по запросу
(от 84 ₽)
Минимальный заказ: 360 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT Dual 60V PNP

Технические параметры

Вес, г1
Длина6.7 mm
СерияZDT751
Высота1.6 mm
Ширина3.7 mm
Структураpnp
ТехнологияSi
Power Dissipation NPN-
Power Dissipation PNP2.75Вт
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transition Frequency NPN-
Transition Frequency PNP140МГц
Квалификация-
КонфигурацияDual
ПодкатегорияTransistors
DC Current Gain hFE Min NPN-
DC Current Gain hFE Min PNP40hFE
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSM-8
DC Ток Коллектора2А
Continuous Collector Current NPN-
Continuous Collector Current PNP2А
DC Усиление Тока hFE40hFE
Collector Emitter Voltage Max NPN-
Collector Emitter Voltage Max PNP60В
Линейка Продукции-
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Рассеиваемая Мощность2.75Вт
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности2.75 W
Размер фабричной упаковки1000
Стиль Корпуса ТранзистораSM8
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение Коллектор-Эмиттер60В
Непрерывный коллекторный ток2 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)80 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)2
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.60 V
Максимальный постоянный ток коллектора2 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.28 V
Стандарты Автомобильной Промышленности-
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)140 MHz

Техническая документация