ZDT749TA, Bipolar Transistor Array, Dual PNP, 25 V, 2 A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017109983
- Артикул
- ZDT749TA
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.001
- Длина
- 6.7 mm
- Серия
- ZDT749
- Высота
- 1.6 mm
Цена по запросу
(от 270 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT Dual PNP Medium Power
Технические параметры
| Вес, г | 0.001 |
| Длина | 6.7 mm |
| Серия | ZDT749 |
| Высота | 1.6 mm |
| Ширина | 3.7 mm |
| Структура | pnp |
| Технология | Si |
| Power Dissipation NPN | - |
| Power Dissipation PNP | 2.75Вт |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transition Frequency NPN | - |
| Transition Frequency PNP | 160МГц |
| Квалификация | - |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| DC Current Gain hFE Min NPN | - |
| DC Current Gain hFE Min PNP | 75hFE |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SM-8 |
| DC Ток Коллектора | 2А |
| Continuous Collector Current NPN | - |
| Continuous Collector Current PNP | 2А |
| DC Усиление Тока hFE | 75hFE |
| Collector Emitter Voltage Max NPN | - |
| Collector Emitter Voltage Max PNP | 25В |
| Линейка Продукции | - |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Рассеиваемая Мощность | 2.75Вт |
| Полярность Транзистора | Двойной PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 2.75 W |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SM8 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 25В |
| Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 35 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 25 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.23 V |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | - |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 160 MHz |