YJSD12N03A, Транзистор: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; полевой; 30В; 9,6А; SOP8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8009266921
- Артикул
- YJSD12N03A
- Бренд
- Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
- Case
- SOP8
- Mounting
- SMD
- Technology
- TRENCH POWER LV
- Вес, г
- 0.11
Цена по запросу
(от 31,19 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; полевой; 30В; 9,6А; SOP8 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Case | SOP8 |
| Mounting | SMD |
| Technology | TRENCH POWER LV |
| Вес, г | 0.11 |
| Gate charge | 23.6nC |
| Manufacturer | YANGJIE TECHNOLOGY |
| Polarisation | unipolar |
| Корпус | sop8 |
| Drain current | 9.6A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 2.5W |
| Type of transistor | N-MOSFET x2 |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 15mΩ |
| Drain-source voltage | 30V |
| Pulsed drain current | 50A |
| Особенности | - |
| кол-во в упаковке | 4000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 7mΩ@10V, 8A |