YJS2022A, Транзистор: P-MOSFET; TRENCH POWER MV; полевой; 20В; -10,4А; 3Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8007268591
- Артикул
- YJS2022A
- Бренд
- Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
- Case
- SOP8
- Mounting
- SMD
- Technology
- TRENCH POWER MV
- Вес, г
- 0.11
Цена по запросу
(от 43,52 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Case | SOP8 |
| Mounting | SMD |
| Technology | TRENCH POWER MV |
| Вес, г | 0.11 |
| Gate charge | 72.8nC |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | -10.4A |
| Kind of channel | enhancement |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 3W |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±10V |
| On-state resistance | 26mΩ |
| Drain-source voltage | 20V |
| Pulsed drain current | -55A |
| Особенности | - |
| кол-во в упаковке | 12000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 620mV@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10.4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 10mΩ@4.5V, 10A |