Моя заявка (0)

YJQ10N02A, 20V 13A 7.8m-@4.5V,13A 2.2W 620mV@250uA 117pF@10V N Channel 888pF@10V 11.05nC@4.5V -55-~+150-@(Tj) DFN2020-6L MOSFETs

нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015773194
Артикул
YJQ10N02A
Бренд
YANGJIE
Type
N Channel
Вес, г
0.07
Структура
N-Channel
Operating Temperature
-55℃~+150℃@(Tj)
Цена по запросу
(от 44 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

20 В 13 А 7.8mOhm@4.5V,132,2 Вт 620 мВ при 250uA N-канальные МОП-транзисторы DFN2020-6L, соответствующие требованиям ROHS

Технические параметры

TypeN Channel
Вес, г0.07
СтруктураN-Channel
Operating Temperature-55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd)2.2W
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)11.05nC@4.5V
Drain Source Voltage (Vdss)20V
Input Capacitance (Ciss@Vds)888pF@10V
Continuous Drain Current (Id)13A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)620mV@250uA
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)117pF@10V
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)7.8mΩ@4.5V, 13A
Пороговое напряжение на затворе620mV@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)7.8mΩ@4.5V, 13A

Техническая документация