YJG80G06A, Транзистор N-MOSFET, SPLIT GATE TRENCH, полевой, 60В, 50А, 38Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003175513
- Артикул
- YJG80G06A
- Бренд
- Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
- Вес, г
- 0.14
- Структура
- N-Channel
- Особенности
- High Density Split Gate Trench
- Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
- 60
Цена по запросу
(от 100,79 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, SPLIT GATE TRENCH, полевой, 60В, 50А, 38Вт Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Вес, г | 0.14 |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | High Density Split Gate Trench |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 38 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |