YJG55G10A, Транзистор, N-MOSFET, 100В, 55А, 89Вт, 0.0175Ом [PDFN-8_5х6.]
![YJG55G10A, Транзистор, N-MOSFET, 100В, 55А, 89Вт, 0.0175Ом [PDFN-8_5х6.]](https://static.epl-electro.ru/lib/559/DOC045559003.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9001620896
- Артикул
- YJG55G10A
- Бренд
- Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
- Вес, г
- 0.2
- Корпус
- PDFN5x6
- Структура
- N-Channel
- Пороговое напряжение на затворе
- 1V@250uA
Цена по запросу
(от 36,30 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.2 |
| Корпус | PDFN5x6 |
| Структура | N-Channel |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 55 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 89 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3mΩ@10V, 20A |