YJG200G04BR, Транзистор, N-MOSFET, 40В, 200А, 187Вт, 0.0013Ом [PDFN-8_5х6.]

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара: 9001247035
Артикул: YJG200G04BR
Бренд: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
Вес, г: 0.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: ±20В

Цена по запросу

(от 57,20 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 200А

Технические параметры

Вес, г	0.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20В

Техническая документация

Техническая информацияpdf, 722 КБ