Моя заявка (0)

YJD80N03A, 30V 80A 3.6m-@10V,15A 54W 1.5V@250uA 283pF@15V N Channel 2.504nF@15V 54nC@10V -55-~+175-@(Tj) TO-252 MOSFETs

YJD80N03A, 30V 80A 3.6m-@10V,15A 54W 1.5V@250uA 283pF@15V N Channel 2.504nF@15V 54nC@10V -55-~+175-@(Tj) TO-252 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015788550
Артикул
YJD80N03A
Бренд
YANGJIE
Type
N Channel
Вес, г
0.49
Корпус
TO-252
Структура
N-Channel
Цена по запросу
(от 31,83 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

30 В 80 А 3.6mOhm@10V,15A 54 Вт 1.5V@250uA N-канальные МОП-транзисторы TO-252 соответствуют требованиям ROHS

Технические параметры

TypeN Channel
Вес, г0.49
КорпусTO-252
СтруктураN-Channel
Operating Temperature-55℃~+175℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd)54W
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)54nC@10V
Drain Source Voltage (Vdss)30V
Input Capacitance (Ciss@Vds)2.504nF@15V
Continuous Drain Current (Id)80A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)1.5V@250uA
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)283pF@15V
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)3.6mΩ@10V, 15A
Пороговое напряжение на затворе1.5V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт54
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)3.6mΩ@10V, 15A

Техническая документация