Моя заявка (0)

YJD212080NCTG1, N-канальный усиленный силовой MOSFET транзистор из карбида кремния, 1200B, 38A, 220В

YJD212080NCTG1, N-канальный усиленный силовой MOSFET транзистор из карбида кремния, 1200B, 38A, 220В

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8022070462
Артикул
YJD212080NCTG1
Бренд
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
Вес, г
1
Корпус
TO2473
Структура
N-Channel
Особенности
-
Цена по запросу
(от 1 301,22 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1200В 38A TO-247AB

Технические параметры

Вес, г1
КорпусTO2473
СтруктураN-Channel
Особенности-
кол-во в упаковке30
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В220
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А38
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация