YJB200G06B, 60V 200A 2.3m-@10V,20A 260W 2.8V@250uA 59pF@25V N Channel 4.165nF@25V 65nC@10V -55-~+150-@(Tj) TO-263 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015763804
- Артикул
- YJB200G06B
- Бренд
- YANGJIE
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 2.45
- Корпус
- TO-263
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 144 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 200A TO-263
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 2.45 |
| Корпус | TO-263 |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 260W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 65nC@10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 4.165nF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 200A |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.8V@250uA |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 59pF@25V |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 2.3mΩ@10V, 20A |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.8V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 200 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 260 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.3mΩ@10V, 20A |