Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024876229
Артикул
YFW8N50AD
Бренд
Dongguan YFW Electronics Co, Ltd
Вес, г
0.46
Корпус
TO-252
Структура
MOSFET
Power Dissipation (Pd)
100W
Цена по запросу
(от 50,58 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.46
КорпусTO-252
СтруктураMOSFET
Power Dissipation (Pd)100W
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)22nC@10V
Input Capacitance (Ciss@Vds)891pF@25V
Continuous Drain Current (Id)8A
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)7pF@25V
Пороговое напряжение на затворе2V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А50
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт100
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)680mΩ@10V, 4A