Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024876226
Артикул
YFW6G03S
Бренд
Dongguan YFW Electronics Co, Ltd
Вес, г
0.17
Структура
MOSFET
Power Dissipation (Pd)
2W
Особенности
-
Цена по запросу
(от 19,91 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.17
СтруктураMOSFET
Power Dissipation (Pd)2W
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)7.2nC@20V;9.8nC@20V
Input Capacitance (Ciss@Vds)572pF@15V;930pF@15V
Continuous Drain Current (Id)10A
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)2.2pF@15V;3.4pF@15V
Пороговое напряжение на затворе1V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)20mΩ@10V, 10A;39mΩ@10V, 7A