Моя заявка (0)

XPW6R30ANB,L1XHQ(O,Power MOSFET, N Channel, 100 V, 45 A, 0.0063 ohm, DSOP Advance M, Surface Mount

XPW6R30ANB,L1XHQ(O,Power MOSFET, N Channel, 100 V, 45 A, 0.0063 ohm, DSOP Advance M, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8044638182
Артикул
XPW6R30ANB,L1XHQ(O
Бренд
Toshiba
Вес, г
0.088
No. of Pins
8Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
U-MOSVIII-H Series
Цена по запросу
(от 740 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.088
No. of Pins8Pins
Channel TypeN Channel
Product RangeU-MOSVIII-H Series
QualificationAEC-Q101
СтруктураN-Channel
Transistor MountingSurface Mount
Transistor Case StyleDSOP Advance M
Особенности-
Drain Source Voltage Vds100V
Operating Temperature Max175°C
Continuous Drain Current Id45A
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А30
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт132
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)6300µohm

Техническая документация