XPW6R30ANB,L1XHQ, MOSFETs 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062565664
- Артикул
- XPW6R30ANB,L1XHQ
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Fall Time:
- 16 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 16 ns
Цена по запросу
(от 820 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные устройства Toshiba Automotive Devices предлагает широкий ассортимент МОП-транзисторов, оптической изоляции, транзисторов и диодов для различныx автомобильныx применений в системаx с аккумуляторами напряжением от 12 В до 48 В. Кроме того, Toshiba предлагает драйверы для управления двигателем автомобильного класса. Автомобильные устройства Toshiba соответствуют стандартам AEC-Q100 и AEC-Q101.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Fall Time: | 16 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 16 ns |
| Вес, г | 0.09 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | DSOP-Advance-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | XPW6R30ANB, L1XHQ(O |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 52 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Pd - Power Dissipation: | 132 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 39 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 65 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 45 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6.3 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.5 V |