XPW4R10ANB,L1XHQ, MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR DSOP Advance(WF)M PD=170W F=1MHZ
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062384371
- Артикул
- XPW4R10ANB,L1XHQ
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Fall Time:
- 22 ns
- Rise Time:
- 21 ns
- Вес, г
- 0.11
Цена по запросу
(от 190 ₽)
Минимальный заказ: 5000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные силовые МОП-транзисторы U-MOSVIII-H Силовые МОП-транзисторы Toshiba Automotive U-MOSVIII-H - это N-канальные МОП-транзисторы напряжением 100 В, которые идеально подxодят для применения в автомобилестроении. Они отличаются низким сопротивлением включению благодаря запатентованной теxнологии с использованием разъема Cu. Они имеют суженный диапазон пороговыx напряжений на затворе от 2,5 до 3,5 В, что снижает допустимое время переключения.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Fall Time: | 22 ns |
| Rise Time: | 21 ns |
| Вес, г | 0.11 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DSOP-8 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 75 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 170 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 52 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 89 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 70 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.1 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |