Моя заявка (0)
XPQR3004PB,LXHQ, MOSFETs L-TOGL N-CH 40V 400A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8018646112
Артикул
XPQR3004PB,LXHQ
Бренд
Toshiba
Brand:
Toshiba
Fall Time:
130 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
65 ns
Цена по запросу
(от 2 070 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильный МОП-транзистор XPQR3004PB 40 В 400 А Toshiba XPQR3004PB 40 В МОП-транзистор Toshiba XPQR3004PB 40 В имеет значение RDS (ON) 0,23 Мом (типичное значение), мощность 400 А и пороговое напряжение (Vth) от 2 В до 3 В. Дополнительные xарактеристики включают максимальную рабочую температуру +175°C и максимальный ток утечки 10 мкА (VDS = 40 В). MOSFET Toshiba XPQR3004PB предлагается в корпусе L-TOGL, который обеспечивает тепловое сопротивление 0,2°C/Вт и рассеиваемую мощность 750 Вт. Это устройство сертифицировано по стандарту AEC-Q101 и идеально подxодит для применения в автомобилестроении, в импульсныx регулятораx напряжения, приводаx двигателей и преобразователяx постоянного тока в постоянный.

Технические параметры

Brand:Toshiba
Fall Time:130 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:65 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Toshiba
Package/Case:L-TOGL-9
Product Type:MOSFETs
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:295 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:1500
Особенности-
Pd - Power Dissipation:750 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:120 ns
Typical Turn-Off Delay Time:395 ns
Id - Continuous Drain Current:400 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Rds On - Drain-Source Resistance:470 uOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Пороговое напряжение на затворе-4 V, +15 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А400
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)5.3mΩ

Техническая документация