XPN12006NC,L1XHQ, MOSFETs TSON N-CH 60V 20A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062565649
- Артикул
- XPN12006NC,L1XHQ
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Fall Time:
- 8 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 5 ns
Цена по запросу
(от 560 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы XPN12006NC U-MOSVIII-H Автомобильные МОП-транзисторы Toshiba XPN12006NC U-MOSVIII-H соответствуют стандарту AEC-Q101 и выполнены в компактном тонком корпусе TSON. XPN12006NC отличается низким сопротивлением стока от источника питания, низким током утечки и режимом усиления.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Fall Time: | 8 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 5 ns |
| Вес, г | 0.02 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TSON-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 23 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 65 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 33 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 20 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 23.7 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |