XPH4R714MC,L1XHQ, MOSFETs 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018909657
- Артикул
- XPH4R714MC,L1XHQ
- Бренд
- Toshiba
- FET Type
- P-Channel
- Vgs (Max)
- +10V, -20V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 0.18
Цена по запросу
(от 580 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
P-канал 40 В 60 А (Ta), 960 МВт (Ta), 132 Вт (Tc) для поверxностного монтажа, 8-ступенчатый переxодник (5x5)
Технические параметры
| FET Type | P-Channel |
| Vgs (Max) | +10V, -20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.18 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
| Структура | MOSFET |
| Operating Temperature | 175°C |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7mOhm @ 30A, 10V |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Power Dissipation (Max) | 960mW(Ta), 132W(Tc) |
| Supplier Device Package | 8-SOP Advance(5x5) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5640 pF @ 10 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A(Ta) |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 132 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |