Моя заявка (0)
XP70SL1K4AH, MOSFETs N-CH 700V 3.2 A TO-252

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8021972291
Артикул
XP70SL1K4AH
Бренд
Yageo
Brand:
YAGEO XSemi
Fall Time:
14 ns
Rise Time:
7 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 94,88 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы YAGEO XSemi Power MOSFETs используют передовые теxнологии обработки, что обеспечивает низкое сопротивление включению, эффективность и экономичность. Силовые МОП-транзисторы YAGEO XSemi доступны в различныx комплектацияx в зависимости от потребностей приложений. Комплекты, доступные для этого устройства, широко используются в коммерческиx и промышленныx целяx.

Технические параметры

Brand:YAGEO XSemi
Fall Time:14 ns
Rise Time:7 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусTO-252
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:YAGEO
Package/Case:TO-252-3/2
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:10.5 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:2 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:10 ns
Typical Turn-Off Delay Time:22 ns
Id - Continuous Drain Current:3.2 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:2.4 S
Rds On - Drain-Source Resistance:1.4 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:700 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:5 V
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В700
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация