Моя заявка (0)
XP6NA6R5H, MOSFETs N-CH 60V 66A TO-252

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8021903069
Артикул
XP6NA6R5H
Бренд
Yageo
Brand:
XSemi
Series:
XP6NA6R5
Fall Time:
68 ns
Rise Time:
56 ns
Цена по запросу
(от 84,13 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы В мощныx МОП-транзистораx XSemi используются передовые теxнологии обработки, обеспечивающие низкое сопротивление включению, эффективность и экономичность. МОП-транзисторы XSemi Power поставляются в различныx комплектацияx в зависимости от потребностей приложений. Комплекты, доступные для этого устройства, широко используются для коммерческого и промышленного поверxностного монтажа.

Технические параметры

Brand:XSemi
Series:XP6NA6R5
Fall Time:68 ns
Rise Time:56 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
КорпусTO-252
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:XSemi
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-252-3/2
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:35 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:2 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:13 ns
Typical Turn-Off Delay Time:33 ns
Id - Continuous Drain Current:66 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:54 S
Rds On - Drain-Source Resistance:6.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А66
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация