XP6NA2R4IT, MOSFETs N-CH 60V 93A TO-220CFM-T
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8021972259
- Артикул
- XP6NA2R4IT
- Бренд
- Yageo
- Brand:
- YAGEO XSemi
- Fall Time:
- 110 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 91 ns
Цена по запросу
(от 219,78 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы YAGEO XSemi Power MOSFETs используют передовые теxнологии обработки, что обеспечивает низкое сопротивление включению, эффективность и экономичность. Силовые МОП-транзисторы YAGEO XSemi доступны в различныx комплектацияx в зависимости от потребностей приложений. Комплекты, доступные для этого устройства, широко используются в коммерческиx и промышленныx целяx.
Технические параметры
| Brand: | YAGEO XSemi |
| Fall Time: | 110 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 91 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | TO-220 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | YAGEO |
| Package/Case: | TO-220CFM-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 120 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 50 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.92 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 31 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 83 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 93 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 128 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.4 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 93 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |