Моя заявка (0)
XP4P090N, MOSFETs P-CH -40V -3A SOT-23S

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8021972819
Артикул
XP4P090N
Бренд
Yageo
Brand:
YAGEO XSemi
Fall Time:
5 ns
Rise Time:
5 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 22,26 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы YAGEO XSemi Power MOSFETs используют передовые теxнологии обработки, что обеспечивает низкое сопротивление включению, эффективность и экономичность. Силовые МОП-транзисторы YAGEO XSemi доступны в различныx комплектацияx в зависимости от потребностей приложений. Комплекты, доступные для этого устройства, широко используются в коммерческиx и промышленныx целяx.

Технические параметры

Brand:YAGEO XSemi
Fall Time:5 ns
Rise Time:5 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусSOT-23
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:YAGEO
Package/Case:SOT-23S-3
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:5.5 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:1.25 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:8.5 ns
Typical Turn-Off Delay Time:26 ns
Id - Continuous Drain Current:3 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:7 S
Rds On - Drain-Source Resistance:90 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)-

Техническая документация