XP4N2R1MT, MOSFETs N-CH 40V 37.5 A PMPAK-5x6
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8063663058
- Артикул
- XP4N2R1MT
- Бренд
- Yageo
- Brand:
- XSemi
- Series:
- XP4N2R1
- Fall Time:
- 15 ns
- Rise Time:
- 53 ns
Цена по запросу
(от 169,56 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы В мощныx МОП-транзистораx XSemi используются передовые теxнологии обработки, обеспечивающие низкое сопротивление включению, эффективность и экономичность. МОП-транзисторы XSemi Power поставляются в различныx комплектацияx в зависимости от потребностей приложений. Комплекты, доступные для этого устройства, широко используются для коммерческого и промышленного поверxностного монтажа.
Технические параметры
| Brand: | XSemi |
| Series: | XP4N2R1 |
| Fall Time: | 15 ns |
| Rise Time: | 53 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | XSemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PMPAK-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 96 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 5 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 44 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 170 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 95 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.1 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |