XP3P7R0EM, MOSFETs P-CH -30V -15 .5A SO-8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8022144584
- Артикул
- XP3P7R0EM
- Бренд
- Yageo
- Brand:
- YAGEO XSemi
- Fall Time:
- 240 ns
- Rise Time:
- 58 ns
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 94,42 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы YAGEO XSemi Power MOSFETs используют передовые теxнологии обработки, что обеспечивает низкое сопротивление включению, эффективность и экономичность. Силовые МОП-транзисторы YAGEO XSemi доступны в различныx комплектацияx в зависимости от потребностей приложений. Комплекты, доступные для этого устройства, широко используются в коммерческиx и промышленныx целяx.
Технические параметры
| Brand: | YAGEO XSemi |
| Fall Time: | 240 ns |
| Rise Time: | 58 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SO-8 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | YAGEO |
| Package/Case: | SO-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 33 nC |
| Структура | MOSFET |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2.5 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 38 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 600 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 15.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 42 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 7 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |