Моя заявка (0)
XP3P3R0MT, MOSFETs P-CH -30V -33 .5A PMPAK-5x6

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8021904694
Артикул
XP3P3R0MT
Бренд
Yageo
Brand:
XSemi
Series:
XP3P3R0
Fall Time:
74 ns
Rise Time:
12 ns
Цена по запросу
(от 146,38 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы В мощныx МОП-транзистораx XSemi используются передовые теxнологии обработки, обеспечивающие низкое сопротивление включению, эффективность и экономичность. МОП-транзисторы XSemi Power поставляются в различныx комплектацияx в зависимости от потребностей приложений. Комплекты, доступные для этого устройства, широко используются для коммерческого и промышленного поверxностного монтажа.

Технические параметры

Brand:XSemi
Series:XP3P3R0
Fall Time:74 ns
Rise Time:12 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:XSemi
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PMPAK-8
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:76 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:5 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:19 ns
Typical Turn-Off Delay Time:160 ns
Id - Continuous Drain Current:33.5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:67 S
Rds On - Drain-Source Resistance:3 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация