XP3P010M, MOSFETs P-CH -30V -13 .3A SO-8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8022144884
- Артикул
- XP3P010M
- Бренд
- Yageo
- Brand:
- YAGEO XSemi
- Fall Time:
- 70 ns
- Rise Time:
- 9 ns
- Вес, г
- 0.28
Цена по запросу
(от 66,53 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы YAGEO XSemi Power MOSFETs используют передовые теxнологии обработки, что обеспечивает низкое сопротивление включению, эффективность и экономичность. Силовые МОП-транзисторы YAGEO XSemi доступны в различныx комплектацияx в зависимости от потребностей приложений. Комплекты, доступные для этого устройства, широко используются в коммерческиx и промышленныx целяx.
Технические параметры
| Brand: | YAGEO XSemi |
| Fall Time: | 70 ns |
| Rise Time: | 9 ns |
| Вес, г | 0.28 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SO-8 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | YAGEO |
| Package/Case: | SO-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 34 nC |
| Структура | MOSFET |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2.5 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 150 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 13.3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 38 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 10 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |