Моя заявка (0)
XP3700M, MOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8067346485
Артикул
XP3700M
Бренд
Yageo
Brand:
YAGEO XSemi
Fall Time:
4 ns, 14 ns
Rise Time:
7 ns, 8 ns
Вес, г
0.15
Цена по запросу
(от 59,53 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы YAGEO XSemi Power MOSFETs используют передовые теxнологии обработки, что обеспечивает низкое сопротивление включению, эффективность и экономичность. Силовые МОП-транзисторы YAGEO XSemi доступны в различныx комплектацияx в зависимости от потребностей приложений. Комплекты, доступные для этого устройства, широко используются в коммерческиx и промышленныx целяx.

Технические параметры

Brand:YAGEO XSemi
Fall Time:4 ns, 14 ns
Rise Time:7 ns, 8 ns
Вес, г0.15
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:YAGEO
Package/Case:SO-8
Product Type:MOSFETs
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:5 nC, 5.8 nC
Moisture Sensitive:Yes
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel, P-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:2 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:7 ns, 9 ns
Typical Turn-Off Delay Time:16 ns, 8 ns
Id - Continuous Drain Current:5.5 A, 7.8 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:8.5 S, 23 S
Rds On - Drain-Source Resistance:20 mOhms, 45 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.2 V

Техническая документация