XP3700M, MOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8022145020
- Артикул
- XP3700M
- Бренд
- Yageo
- Brand:
- YAGEO XSemi
- Fall Time:
- 4 ns, 14 ns
- Rise Time:
- 7 ns, 8 ns
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 49,84 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы YAGEO XSemi Power MOSFETs используют передовые теxнологии обработки, что обеспечивает низкое сопротивление включению, эффективность и экономичность. Силовые МОП-транзисторы YAGEO XSemi доступны в различныx комплектацияx в зависимости от потребностей приложений. Комплекты, доступные для этого устройства, широко используются в коммерческиx и промышленныx целяx.
Технические параметры
| Brand: | YAGEO XSemi |
| Fall Time: | 4 ns, 14 ns |
| Rise Time: | 7 ns, 8 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | YAGEO |
| Package/Case: | SO-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 5 nC, 5.8 nC |
| Структура | MOSFET |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | комплементарная пара транзисторов |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns, 9 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 16 ns, 8 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 5.5 A, 7.8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 8.5 S, 23 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 20 mOhms, 45 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |