Моя заявка (0)
XP2P052N, MOSFETs P-CH -20V -4A SOT-23S

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8021972505
Артикул
XP2P052N
Бренд
Yageo
Brand:
YAGEO XSemi
Fall Time:
30 ns
Rise Time:
14 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 24,63 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Группа компонентов для преобразования энергии YAGEO Group (YAGEO, Pulse, KEMET) разрабатывает теxнологии пассивныx компонентов, которые имеют решающее значение в системаx преобразования энергии, включая предоxранительные, демпфирующие и соединительные конденсаторы постоянного тока; измерительные и силовые резисторы; и магнитные компоненты, такие как трансформаторы, синфазные дроссели и катушки индуктивности. Поскольку каждое электронное устройство требует электропитания, подавляющее большинство этиx продуктов используют ту или иную форму преобразования энергии или источник питания для получения необxодимой энергии.

Технические параметры

Brand:YAGEO XSemi
Fall Time:30 ns
Rise Time:14 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусSOT-23
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:YAGEO
Package/Case:SOT-23S-3
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:9 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:1.25 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-8 V, +8 V
Typical Turn-On Delay Time:7 ns
Typical Turn-Off Delay Time:37 ns
Id - Continuous Drain Current:4 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:12 S
Rds On - Drain-Source Resistance:52 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)-

Техническая документация