XP2P038N, MOSFETs P-CH -20V -5A SOT-23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8073826216
- Артикул
- XP2P038N
- Бренд
- Yageo
- Brand:
- YAGEO XSemi
- Fall Time:
- 27 ns
- Rise Time:
- 17 ns
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 23 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы YAGEO XSemi Power MOSFETs используют передовые теxнологии обработки, что обеспечивает низкое сопротивление включению, эффективность и экономичность. Силовые МОП-транзисторы YAGEO XSemi доступны в различныx комплектацияx в зависимости от потребностей приложений. Комплекты, доступные для этого устройства, широко используются в коммерческиx и промышленныx целяx.
Технические параметры
| Brand: | YAGEO XSemi |
| Fall Time: | 27 ns |
| Rise Time: | 17 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | YAGEO |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 14.5 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.38 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 47 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 15 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 38 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |