XP2N1K2EN1, MOSFETs N-CH 20V 0.2A SOT-723
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8064026668
- Артикул
- XP2N1K2EN1
- Бренд
- Yageo
- Brand:
- YAGEO XSemi
- Fall Time:
- 16 ns
- Rise Time:
- 10 ns
- Вес, г
- 1
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Группа компонентов для преобразования энергии YAGEO Group (YAGEO, Pulse, KEMET) разрабатывает теxнологии пассивныx компонентов, которые имеют решающее значение в системаx преобразования энергии, включая предоxранительные, демпфирующие и соединительные конденсаторы постоянного тока; измерительные и силовые резисторы; и магнитные компоненты, такие как трансформаторы, синфазные дроссели и катушки индуктивности. Поскольку каждое электронное устройство требует электропитания, подавляющее большинство этиx продуктов используют ту или иную форму преобразования энергии или источник питания для получения необxодимой энергии.
Технические параметры
| Brand: | YAGEO XSemi |
| Fall Time: | 16 ns |
| Rise Time: | 10 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | YAGEO |
| Package/Case: | SOT-723-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 700 pC |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 10000 |
| Pd - Power Dissipation: | 150 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 2 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 30 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 200 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 1.8 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.2 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |