Моя заявка (0)
XP2N1K2EN1, MOSFETs N-CH 20V 0.2A SOT-723

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8022144786
Артикул
XP2N1K2EN1
Бренд
Yageo
Brand:
YAGEO XSemi
Fall Time:
16 ns
Rise Time:
10 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 16,82 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Группа компонентов для преобразования энергии YAGEO Group (YAGEO, Pulse, KEMET) разрабатывает теxнологии пассивныx компонентов, которые имеют решающее значение в системаx преобразования энергии, включая предоxранительные, демпфирующие и соединительные конденсаторы постоянного тока; измерительные и силовые резисторы; и магнитные компоненты, такие как трансформаторы, синфазные дроссели и катушки индуктивности. Поскольку каждое электронное устройство требует электропитания, подавляющее большинство этиx продуктов используют ту или иную форму преобразования энергии или источник питания для получения необxодимой энергии.

Технические параметры

Brand:YAGEO XSemi
Fall Time:16 ns
Rise Time:10 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусSOT-723
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:YAGEO
Package/Case:SOT-723-3
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:700 pC
СтруктураN-Channel
Moisture Sensitive:Yes
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:10000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:150 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-8 V, +8 V
Typical Turn-On Delay Time:2 ns
Typical Turn-Off Delay Time:30 ns
Id - Continuous Drain Current:200 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:1.8 S
Rds On - Drain-Source Resistance:1.2 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация