Моя заявка (0)

XP233N0501TR-G, Power MOSFET, N Channel, 30 V, 500 mA, 0.6 ohm, TO-236, Surface Mount

XP233N0501TR-G, Power MOSFET, N Channel, 30 V, 500 mA, 0.6 ohm, TO-236, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004262920
Артикул
XP233N0501TR-G
Бренд
TOREX Semiconductor LTD
Case
SOT23-3
Mounting
SMD
Вес, г
0.001
Channel Type
N Channel
Цена по запросу
(от 23 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

CaseSOT23-3
MountingSMD
Вес, г0.001
Channel TypeN Channel
ManufacturerTOREX
Polarisationunipolar
Drain current0.5A
Kind of channelenhanced
Kind of packagereel, tape
Power Dissipation400мВт
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураN-Channel
Gate-source voltage±20V
On-state resistance4Ω
Drain-source voltage30V
Pulsed drain current1A
Особенности-
Drain Source On State Resistance0.6Ом
Features of semiconductor devicesESD protected gate
Линейка ПродукцииXP23
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока500мА
Рассеиваемая Мощность400мВт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs1.3В
Напряжение Измерения Rds(on)4.5В
Напряжение Истока-стока Vds30В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-236
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.6Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.6 Ом

Техническая документация