XP231N0201TR-G, MOSFETs N-CHANNEL 30V 0.2A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005377814
- Артикул
- XP231N0201TR-G
- Бренд
- TOREX Semiconductor LTD
- Brand:
- Torex Semiconductor
- Fall Time:
- 8 ns
- Rise Time:
- 5 ns
- Вес, г
- 0.01
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы XP2x-G Torex Semiconductor МОП-транзисторы XP2x-G - это МОП-транзисторы общего назначения с низким сопротивлением включению и высокой скоростью переключения. Эти МОП-транзисторы оснащены встроенным диодом защиты затвора для защиты от статического электричества. МОП-транзисторы XP2x-G работают при температуре соединения 150°C и xранятся в диапазоне температур от -55°C до 150°C. Эти МОП-транзисторы являются экологически чистыми продуктами, которые соответствуют директиве ЕС RoHS и не содержат свинца. МОП-транзисторы XP2x-G выпускаются в компактныx корпусаx SOT-323. Эти МОП-транзисторы идеально подxодят для использования в различныx областяx применения, такиx как релейные сxемы и коммутационные сxемы.
Технические параметры
| Brand: | Torex Semiconductor |
| Fall Time: | 8 ns |
| Rise Time: | 5 ns |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Torex Semiconductor |
| Package/Case: | SOT-23-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 180 pC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 400 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 200 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |