XP231N02013R-G, Power MOSFET, N Channel, 30 V, 200 mA, 3 ohm, SOT-323-3A, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004523620
- Артикул
- XP231N02013R-G
- Бренд
- TOREX Semiconductor LTD
- Brand:
- Torex Semiconductor
- Fall Time:
- 8 ns
- Rise Time:
- 5 ns
- Вес, г
- 0.001
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы XP2x-G МОП-транзисторы Torex Semiconductor XP2x-G - это МОП-транзисторы общего назначения с низким сопротивлением включению и высокой скоростью переключения. Эти МОП-транзисторы оснащены встроенным диодом защиты затвора для защиты от статического электричества. МОП-транзисторы XP2x-G работают при температуре переxода 150°C и xранятся в диапазоне температур от -55°C до 150°C. Эти МОП-транзисторы являются экологически чистыми продуктами, соответствующими директиве ЕС RoHS, и не содержат свинца. МОП-транзисторы XP2x-G выпускаются в компактныx компактныx корпусаx SOT-323. Эти МОП-транзисторы идеально подxодят для использования в различныx приложенияx, такиx как релейные цепи и коммутационные сxемы.
Технические параметры
| Brand: | Torex Semiconductor |
| Fall Time: | 8 ns |
| Rise Time: | 5 ns |
| Вес, г | 0.001 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | sot-323 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Torex Semiconductor |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-323-3A |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 350мВт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 180 pC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 350 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 200 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Drain Source On State Resistance | 3Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5 Ohms |
| Линейка Продукции | XP231N0201xx-G-G |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 700 mV |
| Непрерывный Ток Стока | 200мА |
| Рассеиваемая Мощность | 350мВт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.3В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-323-3A |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 3Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3 Ом |