XP222P0801TR-G, Power MOSFET, P Channel, 20 V, 800 mA, 0.3 ohm, SOT-23, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004523616
- Артикул
- XP222P0801TR-G
- Бренд
- TOREX Semiconductor LTD
- Вес, г
- 0.001
- Channel Type
- P Channel
- Корпус
- SOT-23
- Power Dissipation
- 400мВт
Цена по запросу
(от 22 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.001 |
| Channel Type | P Channel |
| Корпус | SOT-23 |
| Power Dissipation | 400мВт |
| Структура | P-Channel |
| Особенности | - |
| Drain Source On State Resistance | 0.3Ом |
| Линейка Продукции | XP222P0801xx-G |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 800мА |
| Рассеиваемая Мощность | 400мВт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 800мВ |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.3Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±10В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.3 Ом |