XP161A1265PR-G, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8074695735
- Артикул
- XP161A1265PR-G
- Бренд
- TOREX Semiconductor LTD
- Brand:
- Torex Semiconductor
- Fall Time:
- 40 ns
- Rise Time:
- 15 ns
- Вес, г
- 0.1
Цена по запросу
(от 110,30 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Torex Semiconductor |
| Fall Time: | 40 ns |
| Rise Time: | 15 ns |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Torex Semiconductor |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-89-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 2Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 55 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Drain Source On State Resistance | 0.042Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 95 mOhms |
| Линейка Продукции | XP161 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 700 mV |
| Непрерывный Ток Стока | 4А |
| Рассеиваемая Мощность | 2Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.4В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-89 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.042Ом |