XP161A11A1PR-G, MOSFETs Power MOSFET, 30V, 4A, N-Type, SOT-89
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006213263
- Артикул
- XP161A11A1PR-G
- Бренд
- TOREX Semiconductor LTD
- Brand:
- Torex Semiconductor
- Fall Time:
- 15 ns
- Rise Time:
- 15 ns
- Вес, г
- 0.13
Цена по запросу
(от 119,56 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор, 30 В, 4 А, N-образный, SOT-89
Технические параметры
| Brand: | Torex Semiconductor |
| Fall Time: | 15 ns |
| Rise Time: | 15 ns |
| Вес, г | 0.13 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | sot-89 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Torex Semiconductor |
| Package/Case: | SOT-89-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Структура | Power MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 35 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 105 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 161 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |