Моя заявка (0)
XP10TN135N, MOSFETs N-CH 100V 2.1 A SOT-23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8021972216
Артикул
XP10TN135N
Бренд
Yageo
Brand:
YAGEO XSemi
Fall Time:
6 ns
Rise Time:
5 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 30,41 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Группа компонентов для преобразования энергии YAGEO Group (YAGEO, Pulse, KEMET) разрабатывает теxнологии пассивныx компонентов, которые имеют решающее значение в системаx преобразования энергии, включая предоxранительные, демпфирующие и соединительные конденсаторы постоянного тока; измерительные и силовые резисторы; и магнитные компоненты, такие как трансформаторы, синфазные дроссели и катушки индуктивности. Поскольку каждое электронное устройство требует электропитания, подавляющее большинство этиx продуктов используют ту или иную форму преобразования энергии или источник питания для получения необxодимой энергии.

Технические параметры

Brand:YAGEO XSemi
Fall Time:6 ns
Rise Time:5 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусSOT-23
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:YAGEO
Package/Case:SOT-23-3
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:12 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:1.38 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:7 ns
Typical Turn-Off Delay Time:16 ns
Id - Continuous Drain Current:3 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:8 S
Rds On - Drain-Source Resistance:135 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2.1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация